|
|
|
Подсекция «Твердотельная наноэлектроника»
- Mohammed W. - Synthesis, characterization and transport properties of the vanadium nitride thin films
- Huseynov E.M. - TEMPERATURE - ELECTRICAL CONDUCTIVITY DEPENDENCIES OF SILICON CARBIDE (3C-SiC) NANOPARTICLES EXPOSED TO NEUTRON IRRADIATION
- Завидовский И.А. - Влияние sp1-связей на удельное сопротивление углеродных плёнок, полученных методом ионно-плазменного синтеза
- Елистратова М.А. - Влияние гамма-облучения на свойства нанопористого кремния: роль кислорода в изменении его свойств
- Дорофеев А.А. - Дизайн и изготовление решёток для оптической связи с интегральным оптическим чипом из нитрида кремния
- Липкова Е.А. - Исследование легированных кремниевых нанонитей методами колебательной спектроскопии
- Артемьева О.С. - Исследование методики определения зависимости ширины запрещенной зоны пористого кремния от морфологии
- Назаров К.К. - Исследование параметров теплообмена в современных тепловых трубах
- Дюмин В.С. - Исследование эффекта электронного умножения в фоточувствительных приборах с переносом заряда
- Елопов А.В. - Кинетические зависимости фотолюминесценции квантовых точек селенида кадмия,
внедренных в жидкокристаллическую полимерную матрицу
- Божьев И.В. - Локальный полевой зонд на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом из КНИ с различной степенью легирования.
- Рыбин М.Г. - Модификация оптических и электрофизических свойств CVD графена
- Мельников А.Е. - Наноэлектронный трансдьюсер для акустоэлектронного нанобиосенсора
- Дощатова Е.В. - Определение относительного содержания кислорода и ванадия методом энергодисперсионного анализа
- Исаева А.А. - Островковые тонкие пленки: отработка режимов формирования
- Никируй К.Э. - Применение мемристоров на основе нанокомпозита (CoFeB)x(LiNbO3)100-x в простейших нейроморфных системах
- Аникьева А.Э. - Процессы переноса заряда на границе диэлектрик-полупроводник при облучении сфокусированным пучком ионов гелия
- Морозова Е.К. - Разработка и изготовление молекулярного одноэлектронного транзистора с изолированными боковыми затворами
- Королева А.А. - Расчет параметров мемристивных структур на основе оксидов металлов, содержащих металлические наночастицы
- Захаркина Е.И. - Синтез двумерного MoS2 методом CVD и исследование его спектров комбинационного рассеяния света
- Семенова А.А. - Синтез двумерного MoS2 методом химического осаждения из газовой фазы и исследование структурных свойств
- Пылев И.С. - Сканирующая зондовая микроскопия противообледенительной жидкости
- Генералов Ю.В. - Структурные исследования тонких пленок полученных методом ВЧ магнетронного распыления мишени на основе полидиацетилена.
- Матюшкин Я.Е. - Туннельная спектроскопия плотности состояний одностенной углеродной нанотрубки
- Мележенко Д.Е. - Улучшение свойств композита на основе серы и углеродных материалов с помощью модифицированных углеродных нанотрубок для литий-серных аккумуляторов
- Гребенкин С.Д. - Фазовый переход полупроводник-металл и "тристабильное" электрическое переключение в нанокристаллических пленках оксида ванадия на кремнии
- Скобёлкина А.В. - Фотолюминесценция наночастиц, формируемых методом лазерной абляции пористого кремния
- Ганеев А.Ш. - Фотоэлектрические и оптические свойства нанокомпозитов P3HT/nc-Si
- Мацукатова А.Н. - Электрические и фотоэлектрические свойства пленок нанокристаллического оксида индия, полученного при низких температурах
- Лукашкин В.А. - Электрофизические параметры полупроводникового алмаза
|
